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業(yè)內(nèi)人士稱:存儲器原廠可望從第四季啟動漲價攻勢
《科創(chuàng)板日報》18日訊,業(yè)內(nèi)人士稱,NAND Wafer報價從第三季起漲,業(yè)界預(yù)期9月后減產(chǎn)效應(yīng)更為明朗,存儲器原廠可望從第四季啟動漲價攻勢。 至于DRAM漲幅是否比照NAND強(qiáng)勁調(diào)漲的模式,由于終端市場需求尚未明顯復(fù)蘇,漲價走勢可能將較為緩和。
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