2月5日消息 日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。

第三代HBM2存儲芯片單顆最大容量16GB,由16Gb的單Die通過8層堆疊而成,可實(shí)現(xiàn)16GB的封裝容量,并確保3.2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。

三星方面表示,新型16GB HBM2E特別適用于高性能計(jì)算(HPC)系統(tǒng),并可幫助系統(tǒng)制造商及時改進(jìn)其超級計(jì)算機(jī)、AI驅(qū)動的數(shù)據(jù)分析和最新的圖形系統(tǒng)。

三星預(yù)計(jì)第三代HBM2存儲芯片將在今年上半年開始量產(chǎn)。三星將繼續(xù)提供第二代Aquabolt產(chǎn)品陣容,同時擴(kuò)展其第三代Flashbolt產(chǎn)品。

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