Intel最近發(fā)布了至強6數(shù)據(jù)中心處理器率先應(yīng)用MRDIMM(多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊)新型內(nèi)存，以即插即用的方式大幅提升性能。

傳統(tǒng)上，廣泛應(yīng)用的RDIMM（寄存式雙列直插式內(nèi)存模塊）與處理器類似，均內(nèi)置并行資源，但兩者在資源利用方式上存在差異。RDIMM雖允許獨立存儲與數(shù)據(jù)訪問在多個內(nèi)存陣列間進行，卻未能實現(xiàn)這一過程的同步化。

面對這一挑戰(zhàn)，Intel工程師創(chuàng)造性地提出了一項解決方案：在DRAM模塊上集成多路復(fù)用器，使得數(shù)據(jù)能夠同時在兩個內(nèi)存陣列間進行高效傳輸。這一創(chuàng)新設(shè)計打破了傳統(tǒng)限制，開啟了內(nèi)存訪問的新紀(jì)元。

多路復(fù)用緩沖器的引入，進一步優(yōu)化了MRDIMM的電力負(fù)載管理，從而促使接口速度相較于RDIMM實現(xiàn)了顯著提升。得益于能夠同時并行訪問兩個內(nèi)存陣列，MRDIMM的帶寬也隨之翻倍，帶來了前所未有的性能提升。

Intel此番推出的MRDIMM技術(shù)，成功鑄就了其歷史上最快的系統(tǒng)內(nèi)存，峰值帶寬從6400MT/s大幅躍升至8800MT/s，提升幅度接近40%。這一顯著進步，在過去往往需要經(jīng)過多次產(chǎn)品迭代方能實現(xiàn)，而今卻在一夜之間成為現(xiàn)實。

MRDIMM的另一大亮點在于其卓越的易用性。該技術(shù)完美兼容常規(guī)RDIMM的連接器和外形規(guī)格，僅需將小型多路復(fù)用芯片安裝于先前模塊上的空閑位置，即可輕松實現(xiàn)升級，無需對主板進行任何改動。

此外，MRDIMM還全面繼承了RDIMM的糾錯機制及RAS（可靠性、可用性和可維護性）功能，確保無論數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中產(chǎn)生何種復(fù)雜的獨立多路復(fù)用請求，都能有效維護數(shù)據(jù)的完整性與準(zhǔn)確性。這一系列優(yōu)勢，無疑為MRDIMM技術(shù)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用奠定了堅實的基礎(chǔ)。

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