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2月5日消息 日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。第三代HBM2存儲芯片單顆最大容量16GB,由16Gb的單Die通過8層堆疊而成,可實現(xiàn)16GB的封裝
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